半導體的電子結(jié)構與性能（第4卷）

定　價：￥73.00

作　者：	（英）W.施羅特爾（Wolfgang Schroter）主編；甘駿人，夏冠群等譯；甘駿人譯
出版社：	科學出版社
叢編項：	材料科學與技術叢書
標　簽：	超導電性

ISBN：	9787030075253	出版時間：	2001-02-01	包裝：	精裝
開本：	27cm	頁數(shù)：	530	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本卷主要介紹半導體的電子結(jié)構與性能。本卷共11章。第1章至第4章主要闡述半導體中的能帶理論、光學性質(zhì)和電荷輸送，本征點缺陷及深中心；第5章至第8章敘述平衡、非平衡，擴散"和淀積，位錯，半導體中的晶界及界面；第9章至第11章介紹量子線中的霍爾效應，氫化無定形硅的材料特性，硅中3d過渡元素的高溫特性。本卷可供材料科學、物理、金屬學、電子、機械、航空、航天等研究、教學及生產(chǎn)的科學技術工作者閱讀、參考。