電力電子器件及其應(yīng)用

     目 錄
   《電氣自動(dòng)化新技術(shù)叢書(shū)》序言
   前言
   第1章 緒論
    1.1電力電子技術(shù)
    1.2電力半導(dǎo)體器件
    1.3變流電路與控制技術(shù)
    1.4電力電子技術(shù)的應(yīng)用與未來(lái)
   第2章 功率二極管
    2.1PN結(jié)
    2.1.1PN結(jié)的形成
    2.1.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?br />     2.1.3PN結(jié)的反向擊穿
    2.1.4PN結(jié)的電容效應(yīng)
    2.2二極管的特性與參數(shù)
    2.2.1伏安特性
    2.2.2開(kāi)關(guān)特性
    2.2.3性能參數(shù)
    2.3二極管的分類(lèi)與參數(shù)實(shí)例
    2.3.1普通二極管
    2.3.2快恢復(fù)二極管
    2.3.3肖特基二極管
    2.4散熱措施
    2.4.1散熱的原理與重要性
    2.4.2散熱器及其安裝
   第3章 晶閘管
    3.1普通晶閘管
    3.1.1結(jié)構(gòu)與工作原理
    3.1.2特性
    3.1.3參數(shù)
    3.2特殊晶閘管
    3.2.1高頻晶閘管
    3.2.2雙向晶閘管
    3.2.3逆導(dǎo)晶閘管
    3.2.4光控晶閘管
    3.3晶閘管的觸發(fā)電路
    3.3.1對(duì)觸發(fā)電路的基本要求
    3.3.2觸發(fā)電路的型式
    3.3.3單結(jié)晶體管觸發(fā)電路
    3.3.4集成化觸發(fā)電路
    3.4相控整流電路
    3.4.1移相控制技術(shù)
    3.4.2單相橋式全控整流電路
    3.4.3三相半波可控整流電路
    3.4.4三相橋式全控整流電路
    3.4.5整流電壓的諧波分析
    3.5逆變電路
    3.5.1基本原理
    3.5.2單相橋式并聯(lián)逆變電路
    3.5.3三相橋式并聯(lián)逆變電路
    3.5.4單相串聯(lián)逆變電路
    3.6晶閘管的保護(hù)與容量擴(kuò)展
    3.6.1過(guò)電壓保護(hù)
    3.6.2過(guò)電流保護(hù)
    3.6.3晶閘管的串并聯(lián)
   第4章 電力晶體管（GTR）
    4.1電力晶體管的結(jié)構(gòu)
    4.2特性與參數(shù)
    4.2.1靜態(tài)特性與參數(shù)
    4.2.2動(dòng)態(tài)特性與參數(shù)
    4.2.3二次擊穿與安全工作區(qū)
    4.2.4溫度特性與散熱
    4.3GTR的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)
    4.3.1驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)原則
    4.3.2基極驅(qū)動(dòng)電路的基本型式
    4.3.3過(guò)電流的檢測(cè)與保護(hù)
    4.3.4實(shí)用驅(qū)動(dòng)電路舉例
    4.4緩沖電路
    4.4.1概述
    4.4.2耗能式緩沖電路
    4.4.3饋能式緩沖電路
    4.5脈沖寬度調(diào)制 （PWM）技術(shù)
    4.5.1PWM技術(shù)原理
    4.5.2SPWM波形成電路
    4.5.3SPWM波的軟件生成方法
    4.5.4SPWM波專(zhuān)用集成芯片
    4.6PWMDC－AC逆變器
    4.6.1單相逆變器
    4.6.2三相逆變器
    4.6.3封鎖時(shí)間對(duì)輸出電壓的影響
    4.7準(zhǔn)諧振軟性開(kāi)關(guān)變流器
    4.8交流變頻調(diào)速
    4.8.1概述
    4.8.2變頻調(diào)速的原理與特性
    4.8.3變頻調(diào)速系統(tǒng)
   第5章 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（PowerMOSFET）
    5.1結(jié)構(gòu)與工作原理
    5.1.1基本結(jié)構(gòu)與工作原理
    5.1.2功率的擴(kuò)展
    5.1.3多元集成結(jié)構(gòu)的影響
    5.2特性與參數(shù)
    5.2.1靜態(tài)特性與參數(shù)
    5.2.2動(dòng)態(tài)特性與參數(shù)
    5.2.3安全工作區(qū)
    5.2.4溫度穩(wěn)定性
    5.2.5與GTR的比較
    5.3柵極的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)
    5.3.1柵極驅(qū)動(dòng)特性
    5.3.2柵極驅(qū)動(dòng)電路
    5.3.3并聯(lián)應(yīng)用
    5.3.4使用中的保護(hù)措施
    5.4DC－DC 變流器
    5.4.1常用DC－DC變流電路
    5.4.2集成PWM控制器芯片
    5.4.3電流控制PWM技術(shù)
    5.4.4準(zhǔn)諧振軟性開(kāi)關(guān)DC－DC變流器
    5.5功率MOSFET應(yīng)用舉例
    5.5.1開(kāi)關(guān)式穩(wěn)壓電源
    5.5.2高頻自激振蕩電源
    5.5.3其他應(yīng)用
   第6章 可關(guān)斷晶閘管（GTO）
    6.1結(jié)構(gòu)與工作原理
    6.1.1結(jié)構(gòu)
    6.1.2GTO開(kāi)通原理
    6.1.3GTO關(guān)斷原理
    6.1.4GTO的失效原理
    6.2特性與參數(shù)
    6.2.1靜態(tài)特性
    6.2.2動(dòng)態(tài)特性
    6.2.3主要參數(shù)
    6.3GTO）的緩沖電路
    6.3.1緩沖電路的作用
    6.3.2緩沖電路的工作原理
    6.3.3緩沖電路的參數(shù)估算與安裝工藝
    6.4門(mén)極控制技術(shù)
    6.4.1門(mén)極驅(qū)動(dòng)特性
    6.4.2門(mén)極控制信號(hào)波形分析
    6.4.3門(mén)極驅(qū)動(dòng)型式
    6.4.4門(mén)極控制電路實(shí)例
    6.5GTO）的串并聯(lián)
    6.5.1GTO的串聯(lián)使用
    6.5.2GTO的并聯(lián)使用
    6.6GTO的過(guò)電流保護(hù)
    6.6.1過(guò)電流的產(chǎn)生與GTO的過(guò)電流特性
    6.6.2狀態(tài)識(shí)別過(guò)電流保護(hù)法
    6.6.3橋臂互鎖保護(hù)法
    6.6.4逆變器的過(guò)電流保護(hù)
    6.6.5門(mén)極電路的過(guò)電流保護(hù)
    6.7GTO應(yīng)用實(shí)例
    6.7.1磁通控制的GTO逆變器變頻調(diào)速系統(tǒng)
    6.7.2具有復(fù)合制動(dòng)功能的GTO斬波調(diào)速系統(tǒng)
    6.7.3快速響應(yīng)、大容量GTO逆變器
   第7章 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）
    7.1原理與特性
    7.1.1IGBT的工作原理
    7.1.2基本特性
    7.2門(mén)極驅(qū)動(dòng)
    7.2.1驅(qū)動(dòng)條件
    7.2.2驅(qū)動(dòng)電路
    7.2.3IGBT專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)模塊
    7.3IGBT的保護(hù)
    7.4IGBT應(yīng)用實(shí)例
    7.4.1靜音式變頻調(diào)速系統(tǒng)
    7.4.2工業(yè)加熱電源
    7.4.3不間斷電源（UPS）
    7.4.4有源功率濾波器
   第8章 功率集成電路及其他新型電力半導(dǎo)體器件
    8.1功率集成電路
    8.1.1概述
    8.1.2高壓集成電路
    8.1.3智能功率集成電路
    8.2其他新型電力半導(dǎo)體器件
    8.2.1靜電感應(yīng)晶體管（SIT）
    8.2.2靜電感應(yīng)晶閘管（SITH）
    8.2.3MOS控制晶閘管
   參考文獻(xiàn)