模擬大規(guī)模集成電路設(shè)計基礎(chǔ)

第1章　模擬LSI電路設(shè)計的變遷　
　1.1　半導(dǎo)體技術(shù)和模擬電路　
　1.2　模擬電路的分類　
　1.3　專用LSI和ASIC　
　1.4　系統(tǒng)LSI和模擬電路設(shè)計　
　1.5　運(yùn)算放大器和模擬電路設(shè)計　
　1.6　LSI的大規(guī)模化和電路設(shè)計方法　
　1.7　CMOS模擬電路設(shè)計　
第2章　半導(dǎo)體和晶體管電路的基礎(chǔ)知識
　2.1　半導(dǎo)體的特征　
　　2.1.1　半導(dǎo)體的材料和種類　
　　2.1.2　用硅作半導(dǎo)體材料的理由
　　2.1.3　硅原子和半導(dǎo)體　
　　2.1.4　N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體
　　2.1.5　能帶理論　
　　2.1.6　本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體
　　2.1.7　化合物半導(dǎo)體　
　2.2　半導(dǎo)體的分類　
　　2.2.1　按用途分類　
　　2.2.2　按結(jié)構(gòu)分類　
　　2.2.3　邏輯LSI的分類　　
　　2.2.4　邏輯LSI的種類　　
　　2.2.5　存儲LSI的種類　　
　2.3　模擬電路設(shè)計的分類　
　　2.3.1　使用分立元器件的模擬電路設(shè)計
　　2.3.2　使用通用模擬LSI的電路設(shè)計　　
　　2.3.3　定制LSI和模擬電路設(shè)計　　
　　2.3.4　模擬LSI電路設(shè)計　
　　2.3.5　絕對精度和相對精度　
　2.4　晶體管的工作原理和基本放大電路
　　2.4.1　晶體管的工作原理　　
　　2.4.2　雙極型和單極型　
　　2.4.3　正向電壓和發(fā)射極電流的關(guān)系
　　2.4.4　基區(qū)寬度調(diào)制（厄利效應(yīng)）　　
　　2.4.5　晶體管的基本放大電路　　
　　2.4.6　基極接地放大電路　
　　2.4.7　集電極接地放大電路（發(fā)射極跟隨器、緩沖器）
　　2.4.8　發(fā)射極接地放大電路　
第3章　FET及其電路　
　3.1　FET的工作原理與基本放大電路
　　3.1.1　FET的工作原理　
　　3.1.2　借助于耗盡層的電流控制（溝道長度調(diào)制）
　　3.1.3　結(jié)型FET的主要參數(shù)　
　　3.1.4　按特性對FET分類（增強(qiáng)型和耗盡型）　
　　3.1.5　按柵極結(jié)構(gòu)對FET進(jìn)行分類（結(jié)型、肖特基型及MOS型）　
　　3.1.6　FET與晶體管的比較　　
　　3.1.7　結(jié)型FET和絕緣柵（MOS）型FET的不同
　3.2　CMOS型FET　
　　3.2.1　CMOS型FET的概要　
　　3.2.2　CMOs的結(jié)構(gòu)　
　　3.2.3　CMOS和邏輯電路　
　　3.2.4　CMOS反相器和自鎖效應(yīng)　　
　3.3　Bi-CMOS電路　
　　3.3.1　Bi-CMOS的概要　
　　3.3.2　Bi-CMOS邏輯電路　
　　3.3.3　混合信號（Mixed Signal）　
　3.4　FET的基本放大電路　
　　3.4.1　FET的三種接地放大電路　
　　3.4.2　源極接地電路
　　……
第4章　雙極型集成電路及其構(gòu)成要素
第5章　模擬基本LSI電路
第6章　模擬應(yīng)用LSI電路
第7章　CMOS FFT模擬LSI電路
第8章　噪聲和熱
第9章　基于仿真的電路設(shè)計
參考文獻(xiàn)