電子信息技術(shù)的理論與應用

一、特邀報告
中國集成電路材料的發(fā)展和展望
電子微組裝技術(shù)的可靠性研究新進展
GaN基電子器件與可靠性研究進展
Unified Compact Modeling of Emerging Multiple－Gate MOSFETs
Instability of High-k Dielectric Films and Its Influence on the Reliability of Nanoscale MOS Device
Ferrite-Integrated Inductor for RF IC
二、微電子與元件可靠性
國產(chǎn)VDMOS輻射效應研究
半導體器件的失效率和計算方法
從硅基裸芯片到微波裸芯片的應用研究
在提高芯片電磁兼容性方面的物理設(shè)計研究
BGA焊點的有限元模擬仿真方法
可制造設(shè)計及其在深亞微米階段的挑戰(zhàn)
一種改進的GCNMOS ESD保護結(jié)構(gòu)
質(zhì)子SEU率計算模型及其對比
中帶電壓法分離MOSFET氧化層陷阱電荷與界面態(tài)電荷
超高總劑量輻射下SOI MOS器件特性研究
NMOS器件ESD特性模擬
微波功率晶體管的發(fā)展和應用前景
環(huán)境溫度對熱載流子注入效應的影響
芯片產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性保障技術(shù)與標準
MOSFET遷移率隨溫度變化關(guān)系研究
PMOSFET中NBTI效應的壽命評價
ESD應力下多指條MOS器件的柵過耦合效應及對策
ESD加固設(shè)計的CAD工具
偏置條件對PMOS器件X射線總劑量效應的影響
基于高端應用的陶瓷柱柵陣列封裝焊點可靠性
“爆米花”效應導致的塑封器件失效及評價方法
銅一低k集成技術(shù)的失效模式及失效分析
端口電測技術(shù)在失效分析定位中的應用
GaAs PHEMT器件柵金屬下沉效應及其對性能的影響
無鉛BGA／有鉛焊錫膏混裝焊點的典型可靠性問題
高效同相降壓—升壓DC／DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計
一種低電場干擾的FAIMS離子遷移管結(jié)構(gòu)設(shè)計
一種新型結(jié)構(gòu)的硅微加速計的設(shè)計
聚合物材料中RollS管制物質(zhì)六價鉻檢測方法研究
微波組件熱模擬分析方法研究
限波器簧片失效原因分析與對策
鍍層材料對鍵合質(zhì)量的影響
淺談提高電子元器件的使用可靠性
LED常見失效模式及機理研究
固體鉭電解電容器結(jié)構(gòu)、特點和失效機理的研究
DC／DC變換器可靠性探討
MLCC的材料、結(jié)構(gòu)特點及常見失效模式
破壞性物理分析（DPA）方法在識別假冒、翻新集成電路中的應用
三、電子設(shè)備質(zhì)量與可靠性
基于模糊Markov過程的系統(tǒng)可用度分析
星載合成孔徑雷達電子設(shè)備的力學環(huán)境適應性分析
工作頻率對有機復合絕緣子耐壓性能影響研究
以可靠性為中心的型號質(zhì)量管理
無鉛轉(zhuǎn)移的可制造性與可靠性
印制線路板CAF失效分析
純錫鍍層表面晶須評估方法與對策
化學鎳金焊盤的兩大潛在問題及其預防
波傳輸件鍍銀銹蝕原因探討
四、電子設(shè)計、制造與控制
基于0.5pLm CMOS工藝的高壓器件研究
IP核設(shè)計與復用
一種用于LVDS的高速低功耗8位并串轉(zhuǎn)換器
DDR2 SDRAM控制器的設(shè)計與實現(xiàn)
MPEG-2視頻解碼分析器的FPGA設(shè)計
基于FPGA的DDR SDRAM控制器的設(shè)計
LDMOS全耗盡漂移區(qū)的電流計算方法
半導體器件模擬技術(shù)及軟件發(fā)展與現(xiàn)狀
基于FPGA的SoC芯片軟硬件協(xié)同驗證平臺的設(shè)計
基于PCCM模式SIMO開關(guān)電源的優(yōu)化設(shè)計
Ku波段固態(tài)功率放大合成器的仿真設(shè)計
一種S波段PIN開關(guān)的設(shè)計
用于相控陣的模擬移相器設(shè)計
基于IGBT的雷達天線伺服控制器設(shè)計
FPGA系統(tǒng)設(shè)計中的內(nèi)部邏輯在線測試技術(shù)研究
一種Verilog—A的SCR簡潔電路級模型
基于3-LevelΣ-△調(diào)制器的優(yōu)化設(shè)計
基于MATLAB的二階鎖相環(huán)誤差響應仿真與分析
駕駛員疲勞檢測系統(tǒng)的SoC的設(shè)計
……
五、信息與通信技術(shù)
六、計算機與軟件工程