納米科學(xué)與技術(shù)：自旋電子學(xué)導(dǎo)論（下卷）

《納米科學(xué)與技術(shù)：自旋電子學(xué)導(dǎo)論（下卷）》由工作在自旋電子學(xué)研究領(lǐng)域里的國(guó)內(nèi)外50余位學(xué)者撰寫而成。《納米科學(xué)與技術(shù)：自旋電子學(xué)導(dǎo)論（下卷）》分兩卷、共28章，各章均由該領(lǐng)域富有研究經(jīng)驗(yàn)的知名專家負(fù)責(zé)，較全面地介紹和論述了目前自旋電子學(xué)研究領(lǐng)域中的各個(gè)重要研究方向及其進(jìn)展，并重點(diǎn)關(guān)注自旋電子學(xué)的關(guān)鍵材料探索、物理效應(yīng)研究及其原理型器件的設(shè)計(jì)開發(fā)和實(shí)際應(yīng)用。
　　《納米科學(xué)與技術(shù)：自旋電子學(xué)導(dǎo)論（下卷）》適合物理（特別是自旋電子學(xué)）及相關(guān)領(lǐng)域的大學(xué)本科高年級(jí)學(xué)生、研究生、教師、工程師和科研工作者等參考閱讀。

韓秀峰，中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員、博士生導(dǎo)師、課題組組長(zhǎng)。1984年畢業(yè)于蘭州大學(xué)物理系，1993年在吉林大學(xué)獲博士學(xué)位。主要從事“自旋電子學(xué)材料、物理和器、件”研究，包括：磁性隧道結(jié)及隧穿磁電阻（TMR）效應(yīng)、多種鐵磁復(fù)合隧道結(jié)（MTJ）材料、新型磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）、磁邏輯、自旋納米振蕩器、自旋晶體管、磁電阻磁敏傳感器等原理型器件的研究。已發(fā)表SCI學(xué)術(shù)論文200余篇，獲得中國(guó)發(fā)明專利授權(quán)50余項(xiàng)和國(guó)際專利授權(quán)5項(xiàng)。與合作者研制成功一種新型納米環(huán)磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Nanoring MRAM）原理型演示器件、四種磁電阻磁敏傳感器原理型演示器件；其中“納米環(huán)磁性隧道結(jié)及新型納米環(huán)磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)性研究”獲2013年度北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。