集成電路芯片制造

目錄

第1章概述

1.1微電子器件發(fā)展歷程

1.1.1電子管的誕生

1.1.2晶體管的誕生

1.1.3集成電路時代

1.2襯底材料的制備

1.3微電子技術發(fā)展現(xiàn)狀

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第2章襯底材料

2.1常用半導體材料

2.1.1元素半導體材料

2.1.2化合物半導體材料

2.2硅單晶制備技術

2.3硅中的晶體缺陷

2.4硅片制備

2.4.1整型處理

2.4.2單晶切割

2.4.3研磨

2.4.4刻蝕和拋光

2.4.5清洗

2.4.6硅片檢查及包裝

2.5砷化鎵晶體生長技術簡介

2.6質(zhì)量控制

2.7小結(jié)

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第3章微電子器件結(jié)構(gòu)

3.1微芯片中的電阻器

3.2微芯片中的電容器

3.3微芯片中的晶體管

3.3.1標準雙極型工藝二極管

3.3.2基于CMOS工藝和BiCMOS工藝的二極管

3.3.3標準雙極型工藝三極管

3.3.4基于CMOS工藝和BiCMOS工藝的三極管

3.3.5MOS晶體管

3.4小結(jié)

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第4章芯片制造工藝

4.1雙極型工藝

4.2CMOS工藝

4.3BiCMOS工藝

4.4小結(jié)

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第5章半導體制造中的沾污控制

5.1沾污對器件性能的影響

5.2沾污的類型

5.3沾污的控制

5.3.1環(huán)境的控制

5.3.2工藝控制

5.3.3硅片濕法清洗實例分析

5.3.4常用金屬材料和器皿的清洗

5.4小結(jié)

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第6章光刻工藝

6.1光致抗蝕劑

6.2光學光刻工藝原理

6.2.1氣相成底膜

6.2.2涂膠和前烘

6.2.3對準和曝光

6.2.4顯影和堅膜

6.3其他曝光技術簡介

6.4質(zhì)量控制

6.5小結(jié)

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第7章刻蝕工藝

7.1刻蝕參數(shù)

7.1.1刻蝕速率

7.1.2刻蝕剖面

7.1.3刻蝕偏差

7.1.4刻蝕選擇比

7.1.5刻蝕殘留物

7.2濕法化學腐蝕

7.2.1硅和多晶硅的腐蝕

7.2.2二氧化硅的腐蝕

7.2.3氮化硅的腐蝕

7.2.4鋁和鋁合金的腐蝕

7.3干法化學刻蝕

7.3.1刻蝕機理

7.3.2等離子體刻蝕系統(tǒng)

7.3.3介質(zhì)干法刻蝕

7.3.4硅和多晶硅的干法刻蝕

7.3.5金屬的干法刻蝕

7.4光刻膠的去除

7.4.1濕法去膠

7.4.2干法去除

7.5刻蝕質(zhì)量控制

7.6小結(jié)

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第8章?lián)诫s工藝

8.1摻雜工藝概述

8.2擴散原理及方法

8.2.1擴散原理

8.2.2擴散方法

8.3橫向擴散

8.4擴散質(zhì)量控制

8.5離子注入工藝原理

8.5.1離子注入機

8.5.2注入離子在晶格中的運動

8.5.3離子注入的雜質(zhì)分布

8.5.4溝道效應

8.6注入損傷和退火

8.7注入質(zhì)量控制

8.8小結(jié)

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第9章薄膜生長工藝

9.1二氧化硅膜的制備

9.1.1二氧化硅膜的用途

9.1.2二氧化硅膜的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)

9.1.3高溫制備二氧化硅薄膜的方法

9.1.4熱氧化過程中雜質(zhì)再分布

9.1.5二氧化硅薄膜的質(zhì)量控制

9.1.6化學氣相淀積(CVD)制備二氧化硅膜

9.2多晶硅(POS)介質(zhì)膜的制備

9.3氮化硅(Si3N4)介質(zhì)薄膜

9.4外延生長技術

9.4.1硅氣相外延的生長機理

9.4.2硅氣相外延生長速率

9.4.3硅氣相外延層中的摻雜

9.4.4硅氣相外延生長過程中的二級效應

9.5氯化氫氣相拋光

9.6典型硅氣相外延工藝

9.7外延層質(zhì)量控制

9.8小結(jié)

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第10章表面鈍化

10.1SiSiO2系統(tǒng)

10.1.1SiSiO2系統(tǒng)中的電荷

10.1.2SiSiO2系統(tǒng)中的電荷對器件性能的影響

10.1.3SiSiO2結(jié)構(gòu)性質(zhì)的測試分析

10.2主要的鈍化方法

10.2.1集成電路鈍化的一般步驟

10.2.2摻氯氧化

10.2.3磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)鈍化

10.2.4氮化硅(Si3N4)鈍化膜

10.2.5氧化鋁(Al2O3)鈍化膜

10.2.6聚酰亞胺(PI)鈍化膜

10.3鈍化膜質(zhì)量控制

10.4小結(jié)

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第11章集成電路芯片生產(chǎn)實例： 雙極型集成電路芯片的制造

思考

參考文獻